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更重要的是，度晋电外单分子层单晶的本征迁移率与同种材料的厚层晶体一致。该工作发现有机半导体的单分子层单晶是理想的晶体管活性层材料，送3时同兼具高迁移率和低接触电阻的特性。
香港大学机械工程系陈国樑教授团队，千瓦最近在降低有机场效应晶体管接触电阻（Rc）方面的研究工作取得了突破性进展。通过转移金电极的方法，比增可以有效避免上述热损伤，从而获知单分子层单晶的本征性能。特别地，季1亿在Staggered型晶体管中，季1亿电荷注入界面与电荷传输界面的距离通常在几十至几百纳米之间（取决于半导体层的厚度），这个传输距离大幅增加载流子注入的难度，是造成接触电阻的一个重要因素。
为了探究上述问题，度晋电外作者团队使用溶液剪切法制备了高质量的大面积C10-DNTT单分子层单晶，度晋电外利用传输线法（transfer lengthmethod）深入研究了器件的电荷注入特性。然而，送3时同近年来有关单分子层晶体的报道，其电学性能甚至往往低于同种材料的厚层晶体，学界对此尚且没有一个明确的共识。
同时，千瓦接触电阻与测试温度和源漏电压之间没有明显的相关性，说明了电荷注入表现出欧姆接触的特性，这在有机场效应晶体管中尤为罕见。
从截面透射电镜的结果可以看出，比增蒸镀法金电极破坏了单分子层单晶的结构（图1b），比增而转移法金电极与单分子层单晶形成了无损而紧密的接触（图1c）。在此，季1亿报道了在环境条件下合成的纳米相分离的聚合物体系，该体系在液体纳米域中包含上转换染料。
度晋电外发射极三元组通过能量吸收（ET）从低能量吸收的光收集器/敏化剂中填充。【图文导读】图1.上转换纳米相分离聚合物的结构与机理a）上转换纳米相分离聚合物的结构示意图以及其中受限的sTTA-UC机理b）绿色至蓝色上转换聚合物组分的化学结构c）将无染料的纳米相分离的聚合物样品的透射光谱与所用的上转换染料，送3时同作为增敏剂的Pd（II）八乙基卟啉和作为吸收剂/发射剂的9,10-二苯基蒽的吸收光谱和光致发光光谱叠加在一起d）含有上转换染料的纳米相分离聚合物的时域NMRFID图2.光谱表征a）掺杂PdOEP和DPA:PdOEP掺杂的纳米相分离聚合物的吸收和光致发光（PL）光谱b）532nm连续激光激发下含DPA:PdOEP的上转换聚合物的PL光谱随温度的变化c）时间为435nm的DPA:PdOEP聚合物在时间上的PL光谱随温度的变化d）在20oC和-100oC于532nm的脉冲激发下，送3时同含DPA:PdOEP的聚合物在670nm下的时间分辨PL光谱图3.性能表征a）吸收绿色光子后，上转换生色团和三重态激子在经典上转换材料中的分布示意图，染料分子均匀分布，纳米相分离的聚合物具有相同的生色团数量和数量b）BuBz中含有纳米相分离的聚合物和参比DPA：PdOEP溶液的DPA：PdOEP的sTTA上转换量子产率（QYuc）与532nm入射激发强度的关系c）对于含有DPA:PdOEP，红荧烯:Pd(OBu)8Pc和TBPe:PdTPBP的纳米结构聚合物，分别在Xe灯激发下长时间测量的UC-PL的综合强度【小结】基于三重态三重态三态湮灭（sTTA-UC）的光子上转换是一种波长转换技术，潜在地用于传感和太阳能技术。
纳米结构的聚合物表现出出色的光学质量，千瓦高达≈23％的出色上转换效率，以及在空气中的出色稳定性，在三个月内的性能损失可忽略不计。sTTA-UC中上转换的荧光是两个吸收器/发射极分子的亚稳态三重态在碰撞时融合的结果，比增这导致形成高能单重态激发态辐射衰减
